Sodobne rešitve spominskih enot so energetsko zelo potratne. (Foto: Splet)
Raziskovalci so razvili poceni organski feroelektrični material, ki bi lahko pomembno prisp k zmanj??anju porabe elektrike v primerjavi s sedanjimi računalni??kimi spominskimi enotami.
Letno RAM (random access memory), spominske enote, vgrajene v osebne računalnike, samo v ZDA po nekaterih podatkih porabijo za 4,8 milijarde evrov elektrike, da lahko računalniki sproti shranjujejo podatke, pi??e Science.
RAM je volatilna spominska enota in deluje tako, da med seboj v vezje povezuje več tranzistorjev, ki pa potrebujejo neprekinjen dotok električnega toka, da lahko shranijo vsak bit informacije. ?e se tok prekine in informacije niso shranjene na trdi disk, so izgubljene. Tak način tudi porabi veliko električne energije.
Raziskovalcem pa je po srečnem naključju uspelo razviti nov material, ki bi te omejitve lahko presegel. Kemiku Samuelu Stuppu z Northwestern University v Evanstonu je v sodelovanju s kolegom s Harvarda Alok Tajijem uspelo doseči, da so se organske molekule spontano zlo??ile skupaj v izmenjujočih polo??ajih.
Privlačen za raziskovalce
Izkazalo se je, da ima novi material feroelektrične lastnosti, se pravi, da je ena stran negativna, druga pa pozitivno nabita. Ko so material izpostavili električnemu polju, sta se naboja zamenjala in material je ohranil tak??en zamenjani naboj, dokler ga niso zbudili z novo ?porcijo? električnega toka. Zaradi teh lastnosti je novi material privlačen za nevolatilne spominske enote, kot so trdi diski in kakr??ne bi lahko postale tudi RAM-enote.
Feroelektriki niso nov koncept, toda doslej so izdelavo ovirale visoke cene anorganskih feroelektrikov, organski pa so imeli, razen pri izredno nizkih temperaturah, nestabilno strukturo. Novi material je stabilen tudi pri sobni temperaturi, zato je za raziskovalce zelo zanimiv in privlačen .
|
